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各市人民政府，各县（市、区）人民政府，省政府各部门、各直属机构，各大企业，各高等院校：
电力电子技术是利用电力电子器件对电能进行变换及控制的现代技术，已大范围的应用于高品质交直流电源、电力系统、变频调速、新能源发电及各种工业装备、系统与民用电器等领域，其产业的发展和应用已成为建设节约型社会和创新型国家的重要内容。为加快我省新型电力电子器件产业高质量发展，经省政府同意，特提出以下指导意见。
电力电子器件产业链包括电力电子芯片、器件、模块、应用装备、专用材料等领域。电力电子器件的发展经历了第一代半控型器件普通晶闸管、第二代以GTR（大功率晶体管）、GTO（门极可关断晶闸管）、功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）等为代表的自关断、全控型器件。近年来，新型电力电子器件以IGBT（绝缘栅双极型晶体管）、IGCT(集成门极换流晶闸管)、MCT(MOS控制晶闸管)、IEGT（电子注入增强栅晶体管）等为代表，正朝着复合化、模块化及功率集成的方向发展。
国家格外的重视电力电子器件产业高质量发展，工业与信息化部等部门先后研究并制定了推进电力电子技术与产业高质量发展的政策及相关发展规划。目前，我国电力电子器件市场已占到世界市场的40%以上份额，总量达到1000亿元左右，并保持每年近20%的增长，变成全球上最大的电力电子科技类产品市场。但以IGBT、功率MOSFET为代表的全控型大功率新型电力电子芯片及器件，我国大多依赖进口，关系国民经济命脉和国家安全的关键领域中的电力电子核心技术和软、硬件设施仍受到国外控制和封锁，成为制约我国电力电子发展的重要因素之一。
在国家和省产业政策的支持下，我省新型电力电子器件产业有了较快发展，涌现出东营科达半导体、威海新佳电子、淄博银河、淄博科汇、山东山大奥太电气、积成电子、烟台东方电子、山东新风光电子科技、莱芜朗进以及海尔、海信等优秀企业，产品包括IGBT等新型电力电子器件的芯片设计与器件封装、模块的设计与制造、应用整机开发生产等不同领域。其中，东营科达半导体的IGBT、MOSFET、FRD芯片的设计和制造方面处于国内领先地位，部分产品填补国内空白；淄博银河是全球第四家也是国内唯一一家能够生产IGBT模块用低热阻陶瓷覆铜板（简称DBC）的厂家；威海新佳电子的IGBT、FRD、智能变频模块等大功率模块的封装测试技术处于国内领先水平,关键工艺技术具有国际先进水平，填补了国家多项空白；在IGBT模块应用整机装置领域，山东山大奥太电气作为电力电子应用技术企业，已经成为国内规模最大的节能型IGBT逆变焊机的龙头生产企业，产品达到国际先进水平；积成电子、烟台东方电子、淄博科汇电气在电力工业自动化领域具有较强的优势,电网调度自动化、变电站自动化、配电自动化、铁路电力自动化设备与系统及高效节能电机等产品在国内具有较高的占有率；烟台欧瑞传动电气名列交流电机变频调速器行业前三名，山东新风光电子科技的高压变频器广泛应用于矿山开采、石油钻井、风能、太阳能发电等领域；莱芜朗进的机车变频空调，海尔、海信的变频空调、变频冰箱的产销居国内前列，已形成知名品牌。
虽然我省电力电子器件产业发展已有一定基础，并已拥有一批应用电力电子器件的整机产品和生产企业，但自主研发生产电力电子器件的能力还比较弱，芯片设计刚刚起步，还不能自主生产制造芯片，器件和模块封装规模小，尚不能满足发展需求。主要问题：一是对这一领域发展的重要性还认识不足，二是缺少高端人才和强有力的资金支持，三是从研发到应用尚缺少有利于相互支持、相互推动的体制和机制保障及配套政策、措施的推动。
（二）发展趋势。科技发展和市场需求的双重推动将进一步加快新型电力电子器件产业的高速发展，并呈以下发展趋势。
1.制造工艺和技术不断突破。超大规模集成电路技术将在新型电力电子器件制作中得到广泛的应用，器件将向复合型、主电路及保护控制电路模块化和小型化的方向发展。
2.制作材料新型化。具有高载流子迁移率、强热电传导性以及宽带隙新型半导体材料如碳化硅、氮化镓和金刚石等将代替硅材料，并将扩大器件的频率、功率等级、使用温度范围，减少器件的体积和成本。
3.器件将朝着高压、大电流及高频率方向发展。目前，高压IGBT已对传统GTO技术提出了挑战，未来的一段时间里，将是各种新型电力电子器件扩大容量、取长补短、共同发展的时代，它们各自的性能价格比将直接影响其自身发展速度和应用领域。
4.器件高度模块化。新型电力电子器件模块的电压、电流及频率都将进一步提高，而体积可望随新材料的出现而减小，有可能深入到各个领域，进而取代一大批分立式电力电子器件。
5.功率集成电路（PIC）的应用领域将进一步扩大。电力电子器件与微电子线路高度集成的模块将进入视听、大屏幕显示、办公自动化、汽车工业、机器人、工厂自动化及家庭自动化领域。与其他替换产品相比，功率集成电路（PIC）将以较低的成本和更高的可靠性，进一步推动电力电子技术的进步和应用领域的扩展。
（一）指导思想。全面贯彻落实科学发展观，紧跟国际新型电力电子器件产业发展趋势，加快发展新型电力电子器件产业；推进政产学研用相结合，强化原始创新、集成创新和引进消化吸收再创新，突破核心基础器件发展的关键技术，提高新型电力电子器件生产技术和工艺水平；促进具有自主知识产权的芯片和技术的推广应用，形成以芯片设计、生产为核心，封装测试为重点，配套产业为支撑，应用装备、系统发展为拉动，集芯片、器件、模块、整机和系统设计与生产制造为一体的产业链；突出企业主体地位，培育一批重点骨干企业和知名品牌，提高产业核心竞争力。
（二）发展目标。经过3年发展，建立和完善有利于我省新型电力电子器件产业发展的政策环境、支撑体系、服务体系和相对合理的产业体系。重点培育5-8家在国内技术领先、在国际上有影响力的新型电力电子芯片设计企业，建设1-2条芯片制造生产线，在新型电力电子核心芯片设计及生产制造领域取得重大突破，达到国际先进水平；培育3-5家新型电力电子器件及模块封装测试企业，建设具有国际先进水平的器件及模块封装专用生产线；积极支持外围配套材料产业发展，形成区域优势；大力发展应用整机产品和系统，形成一大批新型电力电子器件应用整机和系统生产企业；以产业优势区域为基础，建设国内重要的新型电力电子器件产业基地。新型电力电子器件产业发展能力和社会融资能力进一步增强；对外吸收和接纳人才、技术、资金、企业的能力进一步提高；新型电力电子产品的国产化率进一步提升。到2012年，力争我省新型电力电子器件产业发展带动250亿元的整机产出，对促进我省节能减排、新能源开发利用发挥更大的作用。
（一）重点支持高端芯片的研发及产业化，建立芯片制造生产线和器件封装测试生产线。将高端芯片及器件的设计与制造作为振兴我省新型电力电子器件产业的突破口，各级政府、金融机构、风险投资机构要加大扶持和投入力度，建设国家和省级工程技术中心、重点实验室，整合企业、高等院校和科研机构等资源优势，集中力量，研发具有自主知识产权的高端芯片和器件关键技术。重点支持绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、快恢复二极管（FRD）等新型电力电子高端芯片和器件的研发。积极推动具有国际先进水平的新型电力电子芯片制造和封装测试生产线建设。
（二）大力推动电力电子模块研发和产业化，提高封装测试能力。积极推动采用自主技术的芯片和器件的功率模块产业化，重点支持新型电力电子器件大功率模块、智能功率模块（IPM）和用户专用功率模块（ASPM）的研发和产业化，重点解决散热、电磁兼容（EMC）和智能功率模块的驱动及保护等关键技术。积极推进适于新型电力电子模块封装专用生产线建设，提高技术工艺水平。
（三）大力发展整机应用装备产业，加大推广应用。围绕电机节能、新能源、输变电、新能源汽车、轨道交通、飞机、船舶、变频家电、机床电子等工业装备和系统等领域，支持采用自主技术芯片、器件和功率模块的电力电子整机应用技术和装备、系统的研发和产业化，重点开发变频电机、高效逆变焊机、变频控制器、变频家电、新能源用逆变并网设备、高效开关电源、不间断电源、高效电磁加热设备、电力控制设备等一批重点产品。加大新型电力电子器件及整机装备的推广应用力度，支持产用结合，重点实施一批应用示范工程。
（四）支持新型电力电子器件新材料研发及产业化。支持高等院校及科研机构和企业通过自主创新，不断研发新型电力电子相关配套材料的关键技术；积极支持硅衬底材料、外延片、碳化硅、陶瓷基板、金属及塑料壳体、钼片、底板及电极连接件、硅橡胶和硅凝胶等新型电力电子器件配套材料和产品的研发生产，重点支持绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块用低热阻陶瓷覆铜板（DBC）、碳化硅等的技术研发，提高产业支撑和配套能力，把我省建成国内重要的新型电力电子器件材料研发和生产基地。
（五）加强新型电力电子领域标准的制定和知识产权保护。密切跟踪国际标准，鼓励和引导企业和高等院校及科研机构积极参与新型电力电子芯片、器件、模块、整机装备与系统标准制定，通过标准化促进产业发展。增强知识产权保护意识，积极申请专利，提高企业核心竞争力。
（一）强化政策支持，创造良好发展环境。各级、各部门要高度重视新型电力电子器件产业发展，加强政府引导，强化政策配套，把加快新型电力电子器件技术研究、产业发展和行业应用纳入经济和社会发展规划。鼓励产学研用相结合、自主创新与引进消化吸收再创新相结合，鼓励企业间兼并、重组、整合资源。对符合规定条件的新型电力电子芯片设计、芯片制造、器件及模块封装测试企业，落实集成电路产业税收优惠相关政策。通过组织开展产业推进会、高层论坛、产品展示等各种活动，进一步加大对新型电力电子知识的普及和宣传力度。
（二）加大资金扶持力度，拓宽融资渠道。各级政府要加大对新型电力电子器件产业的投入，在年度科技发展、技术攻关、引进消化吸收、基本建设、技术改造、各类工程技术中心、实验室建设计划中，将电力电子器件产业发展作为一项重点内容，加大投入和扶持力度。以新型电力电子产业链中基础条件好、创新能力强的企业为依托，针对自主创新、产学研联合、引进消化吸收再创新，实施专项工程，重点支持电力电子核心芯片、器件、模块、整机装备、专用材料的研发和产业化。鼓励金融机构、风险投资机构加大对新型电力电子器件企业的支持。通过招商引资、发行股票、债券、吸纳民间资本等方式，拓展融资渠道，为企业发展提供资金支撑。
（三）加强创新体系建设，增强产业技术支撑能力。鼓励新型电力电子芯片、器件、整机装备和材料生产领域企业建立国家级、省级和市级企业技术中心和重点实验室，依托企业技术中心和重点实验室，加快具有自主知识产权新产品、新技术研发及产业化，全面提升核心竞争力。加强新型电力电子公共服务平台和服务体系建设，为广大新型电力电子企业和创业人才提供良好的技术、投资、市场、法律咨询、人才培训等服务。
加强产学研联合，积极吸引国内外大企业、高等院校和科研机构在我省设立或与我省联合设立实验室、研究机构和技术转化基地，推动产学研用紧密结合，提高研发能力，提高新型电力电子类科技成果的转化率，增强产业技术支撑能力。
（四）加强人才引进与培养，提供人才保障。结合重大科技专项和重点创新项目的实施，鼓励在电力电子企业设立“泰山学者”岗位，采取团队引进、核心人才带动等多种方式引进学科技术带头人和复合型人才。营造人才引进的良好环境，积极落实并推动国家“千人计划”、省“万人计划”的实施，通过资金奖励、个人所得税优惠、生活补贴、住房补贴等切实可行的方式，吸引国内外高端专业人才落户山东，以提高企业技术研发水平和管理能力。鼓励省内高校创办与新型电力电子芯片设计、封装测试、应用研究相关的特色学科，培养造就高层次科技研发人才、实用技术人才。重视企业家的教育培训工作，多种措施并举，培养造就一支优秀企业家队伍。
（五）加强国际合作，壮大产业规模。加大招商引资力度，加强与国内、国际新型电力电子器件企业的交流与合作，吸引其在我省投资设立研发机构、生产基地。支持引导我省企业与著名跨国公司合作共同承担科研项目。跟踪国外新型电力电子器件产业及技术发展的最新动态，充分利用国外人才、技术、资金、市场、管理等方面的优势，推动本土创新，提升我省新型电力电子器件产业竞争力，壮大产业规模，实现跨越式发展。
（六）建立产业联盟，加强战略合作。积极支持建立产学研用共同参与的产业联盟，鼓励联盟内部技术合作和产品使用，充分利用产业联盟所特有的技术互补优势和本土化生产的成本优势，开展联合协同创新和新型电力电子产品的推广应用活动。积极支持与国内外知名新型电力电子企业建立战略合作关系，积极开拓商品市场。
（七）加快产业示范区建设，增强产业聚集。紧紧抓住国家大力发展新型电力电子器件产业和加快山东半岛蓝色经济区及黄河三角洲高效生态经济区建设的发展机遇，确定1-2个市建立我省新型电力电子器件产业高质量发展和应用示范区，给予政策及资金方面的倾斜扶持，积极支持示范区兴建新型电力电子芯片设计、制造企业，器件、模块封装测试企业以及应用整机生产企业，电力电子材料、配套产品加工企业，形成产业集聚，发挥示范作用，打造区域优势。
（八）扩大产业的应用领域，以用兴业。进一步加大政府推动力度，引进国产化率考核，通过政府采购、节能工程、试点示范工程和项目、重大装备首台套等政策，鼓励整机生产企业和应用企业优先使用具有自主知识产权的国产芯片、器件、模块与整机装备，扩大我省新型电力电子器件产品与系统装备在我省各领域的应用。通过实施一批大的应用示范项目，培育一批科学技术创新型的新型电力电子企业，形成地方品牌优势，努力开拓省外和国际市场。
