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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是绝缘栅双极型功率管的简称，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器材, 是一种三端半导体开关器材，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的长处，可用于多种电子设备中的高效快速开关。
功率晶体管（GTR）饱满压下降，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT归纳了以上两种器材的长处，驱动功率小而饱满压下降。十分合适使用于直流电压为600V及以上的变流体系如沟通电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等范畴。
IGBT 有三个端子（集电极、发射极和栅极）都附有金属层。但是，栅极端子上的金属材料具有二氧化硅层。
IGBT结构是一个四层半导体器材。四层器材是经过组合 PNP 和 NPN 晶体管来完成的，它们构成了 PNPN 摆放。
N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，N+区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+区称为漏区。器材的操控区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区鸿沟构成。在漏、源之间的P 型区（包含P+和P一区）（沟道在该区域构成），称为亚沟道区（Subchannel region）。
而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区（Drain injector），它是IGBT 特有的功用区，与漏区和亚沟道区一同构成PNP 双极晶体管，起发射极的效果，向漏极注入空穴，进行导电调制，以下降器材的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。
IGBT的开关效果是经过加正向栅极电压构成沟道，给PNP晶体管供给基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，堵截基极电流，使IGBT关断。IGBT的驱动办法和MOSFET根本相同，只需操控输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道构成后，从P+ 基极注入到N一层的空穴（少子），对N一层进行电导调制，减小N一层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。
IGBT模块具有节能、设备修理便利、散热安稳等特色；当时商场上出售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；跟着节能环保等理念的推动，此类产品在商场大将越来越多见；IGBT是仍是动力改换与传输的中心器材，俗称电力电子设备的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新动力配备等范畴使用将愈加广泛。回来搜狐，检查更多
