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斯达半导研究陈述:本乡IGBT优质龙头布局SiC翻开生长天花板财是2023-0
2022-04-30 17:32:43       来源:乐鱼官网

  国内 IGBT 模块抢先者。公司于 2005 年建立,主营事务是以 IGBT 为主的功率半导体芯片和模块 的规划研制和出产,并以 IGBT 模块方式对外完结出售。公司自主研制规划的 IGBT 芯片和快康复 二极管芯片是公司的中心竞赛力。2018 年公司成功量产一切类型 IGBT 芯片及快康复二极管芯片, 历经晋级迭代,现在公司第七代 FS-Trench 型 IGBT 芯片通过验证,抢先优势进一步稳固。依据 Omdia 陈述,公司 2020 年度 IGBT 模块的全球商场比例占有率世界排名第六,在我国企业中排 名第一,是国内 IGBT 职业的领军企业。

  公司产品细分品种丰厚。公司首要产品为功率半导体元器材,包含IGBT、MOSFET、IPM、FRD、 SiC 等等,且成功研制出了全系列 IGBT 芯片、FRD 芯片和 IGBT 模块。其间 IGBT 模块产品超越 600 种,电压等级包含 100V~3300V,电流等级包含 10A~3600A,产品品种丰厚,能有用全面 地掩盖下流客户的各类需求。

  公司股权结构安稳,实控人持股比例高。公司实控人为沈华、胡畏配偶,通过斯达控股、香港斯 达持有公司41.74%股权。职工持股渠道富瑞德出资持股5.09%,用于对职工施行股权鼓励计划, 有助于坚持中心技能团队的安稳性。

  主营事务杰出,IGBT 模组为成绩支柱。公司专心主业,IGBT 模块收入占营收 90%以上,是公司 成绩重要支撑。2017-2021 年,公司营收由 4.4 亿高速添加至 17 亿,同期归母净赢利从 0.53 亿 增至 4 亿,赢利增速继续高于营收,盈余才能显着进步。2022 年前三季度,公司完结营收 18.3 亿,同比添加 57%;归母净赢利 5.9 亿,同比添加 121%,均已超越 2021 全年运营成绩。

  工控事务为支撑,新动力事务快速添加。从事务分类上看,工业操控和电源事务是公司成绩的支 柱,占 2017 年报营收比例达多半。2017-2021 年,公司工控事务营收从 3.5 亿增至 10.6 亿,复 合增速 32%,是公司高速展开的重要推动力。跟着近年来新动力工业的蓬勃展开,公司新动力业 务出现快速添加,营收由 2017 年 0.66 亿快速增至 2021 年的 5.7 亿,复合增速高达 72%。2022 上半年,公司新动力事务营收同比添加近两倍,营收规划已挨近工控事务。公司营收格式已从工 控为主转为工控、新动力偏重。

  公司营收首要靠 IGBT 模块销量驱动。2017-2021 年,公司 IGBT模组产销根本平衡,工控和新能 源事务下流需求继续旺盛,IGBT 模组销量与营收增速同步进步。而产品单价则坚持安稳,历年变 动在 5%左右。2020 年公司小功率模块销量增速高于全体增速,其单价较低,使得 IGBT 模组单 价出现下降。2021 年,公司 IGBT 模组销量 878 万只,同比添加 68%;单价 182 元,同比添加 4%。

  毛利率稳步进步,期间费用率逐年下降,盈余才能显着增强。跟着公司技能前进与产品迭代,附 加值进步,公司毛利率从 30%左右进步至 2022 前三季度的 41%。获益于营收添加带来的规划效 应,公司出售、办理、财务费用率均呈下降趋势,带动净利率由 12%大幅进步至 2022 前三季度 的 32%。

  IGBT 事务体现杰出,相较同业优势显着。公司的毛利率、净利率均显着高出东微半导、宏微科 技、士兰微华润微等同业对手。在运用范畴方面,宏微科技士兰微以工控事务为主,华润微以轿车和工控运用为主,兼有新动力运用。公司在新动力范畴效果显着,首先完结运用范畴扩展。

  研制投入进步,技能人员添加。公司自建立以来一向寻求技能展开和产质量量前进,并以开发新 产品、新技能为公司的首要作业,继续大幅度添加研制投入。2022前三季度,公司研制费用 1.27 亿,同比添加 81%。公司研制部队继续展开壮大,2018-2021 年,技能人员数从 132 人增至 245 人,挨近翻倍。

  公司研制费用率处于职业前列。在从事功率半导体事务的可比公司中,公司研制费用率处于较高 水平且较为安稳,历年均在 6%-9%之间。2021 年,公司研制费用率为 6.5%,继续坚持较高水平。

  高管经历丰厚,助力研制作业。公司高管具有名校技能布景,具有英飞凌、XILINX、美国世界整 流器公司等业界抢先公司的丰厚从业经历,在 IGBT 范畴堆集了丰厚的技能储备,包含了 IGBT、 快康复二极管、SiC 等功率芯片和模块的规划、工艺开发、产品测验、产品运用等,在半导体技 术、电力电子、操控、资料、力学、热学、结构等多学科具有了深沉的技能堆集。一起,公司位 于纽伦堡的欧洲研制中心研制作业继续高效展开,对前沿芯片以及模块封装技能继续探究,有力 保证了公司的技能先进性。

  公司的中心技能为 IGBT 芯片和快康复二极管芯片的规划、工艺和测验及 IGBT 模块的规划、制 造和测验。公司现在现已开宣布平面栅 NPT 型 1200V 全系列 IGBT 芯片和沟槽栅场停止 650V、 750V、1200V 及 1700V 全系列 IGBT 芯片,成功处理了包含 8 英寸晶圆减薄技能、反面高能离子 注入技能、反面激光退火激活技能以及沟槽栅挖槽成型技能等要害工艺技能。针对细分职业客户 对 IGBT 模块产品功用、拓扑结构等的不同要求,公司开发了不同系列的 IGBT 模块产品,在新能 源轿车、新动力、工业操控等细分商场范畴构成了必定的竞赛优势。

  对标英飞凌第七代产品,通过客户认证。英飞凌第七代 IGBT 器材在能量密度、能量损耗、可控 性和适应性方面均有进步,功用体现杰出。2021 年,公司依据第七代微沟槽 Trench Field Stop 技 术的新一代车规级 650V/750V/1200V IGBT 芯片研制成功,并于 2022 上半年通过客户验证,预 计下半年开端批量供货。公司完结先进技能对标,增强了公司的中心竞赛力,为公司的产品竞赛 力打下良好基础。

  公司 IGBT 芯片运用广泛。在新动力轿车范畴,公司已成功跻身于国内轿车级 IGBT模块的首要供 应商之列,车规级 IGBT 模块配套超 50 万辆新动力轿车,首要客户有比亚迪、抱负、上汽等车企;在新动力范畴,公司运用自主芯片的 650V/1200V 单管 IGBT 和模块为户用型、工商业、地上电 站供给从单管到模块悉数处理计划,已成为户用和工商业并网逆变器和储能变流器的首要供货商, 公司运用于光伏的 1200V IGBT 模块在 1500V 体系地上电光伏电站和储能体系中开端批量运用;在工业操控范畴,公司现在现已成为国内多家头部变频器企业 IGBT 模块的首要供货商。

  IGBT 是动力改换与传输的中心器材,功用优越且运用范畴广泛。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)即绝缘栅双极型晶体管,其通过加正向栅极电压构成沟道,给 PNP 晶体管供给基极 电流,使 IGBT 导通;反之,加反向门极电压消除沟道,堵截基极电流,使 IGBT 关断。IGBT 是 由 BJT(双极型三极管)和 MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器材,既具有 MOSFET器材驱动功率小和开关速度快的长处,又具有双极型器材饱满压下降而容 量大的长处,合适运用于直流电压为 600V 及以上的变流体系如沟通电机、变频器、开关电源、 照明电路、牵引传动等范畴。

  IGBT 芯片和快康复二极管芯片是 IGBT 模块的中心。IGBT 模块是由 IGBT 与快康复二极管通过 特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品,封装后的 IGBT 模块直接运用于变频器、UPS 不 连续电源等设备上。快康复二极管芯片在 IGBT 模块中与 IGBT 芯片合作运用,需求接受高电压、 大电流的一起,要求具有极短的反向康复时间和损耗。IGBT 模块按封装工艺来看首要可分为焊接 式与压接式两类,跟着 IGBT 芯片技能的不断向前,芯片的最高作业结温与功率密度不断进步, IGBT 模块技能也在逐渐展开。

  IGBT 技能更新迭代,低中高压器材运用范畴广泛。从 IGBT 技能区分来看,第一二代 IGBT 首要 为平面栅型;第三四代首要为沟槽栅型,通过立异的沟槽规划大大减少了 IGBT 的体积和功耗, 并演化出了第五六代的沟槽格栅型;第七代为2018年后出现的微沟槽栅型,沟道密度更高,元胞 距离更小,可完结最佳开关功用。从 IGBT 电压区分来看,IGBT 可分为低/中/高压。其间消费电 子运用的 IGBT 模块首要会集在 600V 以下,新动力轿车中的 IGBT 为 600-1200V,动车组中的 IGBT 首要为 3300V 和 6500V,轨道交通中的 IGBT 电压在 1700V-6500V 之间,智能电网中的IGBT 电压一般为 3300V。展望未来,IGBT 技能研制将着重在开发 6500 V 以上的超高压 IGBT、 超结 IGBT、依据 SiC 的 IGBT 芯片等方面。

  获益于新动力轿车、风景储等工业的展开,IGBT 需求高速添加。IGBT 职业出现“广空间+高增 速”特征,国内外 IGBT 商场规划继续攀升。中商工业研究院数据显现,2022 年全球 IGBT 商场 规划估计可达 81 亿美元,17-22 年 CAGR 为 12%。依据集邦咨询猜测,2025 年国内 IGBT 商场 规划有望打破 522 亿元,17-25 年 CAGR 达 19%,是细分商场中展开最快的半导体功率器材之 一,商场远景宽广。

  IGBT 在工业操控范畴运用广泛,下流需求安稳添加。IGBT 模块是变频器、逆变焊机等传统工业 操控及电源职业的中心元器材。从全球 IGBT 运用状况来看,工业操控、新动力轿车和新动力发 电是最首要的需求范畴,需求占比之和约为 74%。其间,工业操控占比约为 37%,是 IGBT 下流 需求最大的范畴。跟着工业自动化改造的不断晋级,工控范畴对功率半导体器材的的需求继续增 加,2021 年全球工控 IGBT 商场规划到达 151 亿元,估计 2025 年将稳健添加至 170 亿元。

  国内外新动力车终端需求炽热,IGBT 需求随之兴起。2021 年全球新动力轿车总销量为 653 万辆, 同比添加 107%。依据 EVTank数据,新动力轿车 2026年销量将到达 3157万辆,21-26年 CAGR 为 37%。依据中汽协数据,估计 2022 年我国新动力轿车销量将到达 680 万辆,同比添加 94%, 2026年我国新动力轿车出售量将到达轿车出售总量的近50%。国内新动力车商场具有抢先优势, 跟着浸透率的进一步进步以及轿车电子化程度的继续推动,车用 IGBT 规划有望快速打破。

  新动力车为 IGBT 最大增量商场,对 IGBT 添加拉动效果显着。Trendforce 数据显现,新动力汽 车在国内 IGBT 下流运用中占比约 31%,是 IGBT 的最大增量商场。IGBT 是新动力轿车电控体系 和充电桩的中心器材,决议了整车的动力使用率;一起,新动力车的车载空调、OBC、逆变器、 DC/AC、发电机等也需很多运用 IGBT 器材。依据 Digitimes Research 的数据,新动力轿车中电 机驱动体系是要害本钱之一,约占整车本钱的 15-20%,而 IGBT 约占电机驱动体系本钱的一半, 因而 IGBT 约占新动力轿车本钱的 7-10%,其动力功用越强,所需求的 IGBT 组件数量就越多。

  轿车电气化进程加快,新动力车比较传统燃油轿车需求更多电流转化部件,驱动 IGBT 等电子元 器材需求量攀升。在主逆变器中,IGBT 将高压电池的直流电转化为驱动三相电机的沟通电;在 车载充电机中,IGBT 将沟通电转化为直流电并为高压电池充电;在 DC-DC 改换器中,IGBT 将 高压电池输出的高电压转化成低电压后供轿车低压供电网络运用;此外,IGBT 也广泛运用在 PTC 加热器、水泵、油泵、空调压缩机等辅逆变器中,完结小功率 DC-AC 转化。

  全球新动力轿车新增 IGBT 测算与要害假定:假定 2022 年新动力轿车 IGBT 价值约为 1906 元/辆,假定 2023 年及今后单车 IGBT 价值量年增 1%。此外,依据 yole 数据,2021 年新动力车 IGBT 浸透率为 96%,估计跟着 SiC 器材的老练, IGBT浸透率有下降趋势。依据咱们的测算,全球新动力轿车IGBT商场规划2022年为189亿元, 到 2026 年将添加到 476 亿元,21-26E CAGR 为 32%。

  大功率充电年代的到来有望推升 IGBT 商场空间。充电桩的充电模块是整个产品的中心设备,主 要功用是将电网中的沟通电通过整流滤波后转化为可充电的直流电,其要害技能在于 IGBT。根 据充电桩视界数据,充电模块占整个充电设备建造本钱的 45%~55%;依据前瞻工业研究院数据, IGBT 模块占充电桩本钱约 20%。跟着超充年代的到来,充电模块的容量晋级、可靠性以及安全 性面临着更高的要求,同尺度的充电模块的功率密度逐渐晋级,IGBT 质量和需求量有望继续晋级。

  全球充电桩新增 IGBT 测算与要害假定:假定 2022 年私家充电桩单价为 0.3 万元,公共快充桩单价为 2 万元,公共慢充桩单价为 0.5 万 元,假定 2023 年及今后的充电桩均匀价值量年降 2%。结合 CASA 数据,咱们假定 2022 年充电 桩 IGBT 浸透率为 75%,23 年今后年降 5%。依据咱们的测算,全球充电桩用 IGBT 商场规划 2022 年为 26 亿元,到 2026 年将添加到 72 亿元,21-26E CAGR 为 29%。

  碳中和布景下,光伏和风力发电在动力结构中的位置越发无足轻重,储能职业亦迎来良机。IGBT 元器材作为光伏逆变器、风电变流器以及储能变流器的中心半导体器材,可以对电流进行整流和 逆变等效果,以完结新动力发电的沟通并网、储能电池的充放电等功用,风景储职业的快速展开 将进一步翻开 IGBT 的商场。光伏新增装机量快速添加,迎来黄金展开期。依据 CPIA 达观猜测数据,全球光伏年新增装机在 2022 年将初次打破 200GW,到达 240GW 的水平,到 25 年全球年新增装机将到达 330GW,20- 25 年光伏新增装机的复合添加率达 20%;与此一起,2025 年我国新增装机规划有望到达 110GW, 相当于 2021 年的 2 倍。

  光伏逆变器出货量高速添加,IGBT 作为逆变器“心脏”效果凸显。光伏逆变器是光伏体系的核 心部件,可以将太阳能板发生的可变直流电转化为沟通电,并反应回输电体系或供离网的电网使 用。近年来,光伏工业的继续景气,带动光伏逆变器商场规划快速进步,2020 年全球光伏逆变器的商场规划为 136GW,2025 年将有望到达 401GW,20-25 年 CAGR 为 24%。在光伏逆变器成 本结构方面,IGBT 元器材是半导体器材的首要组成部分,在驱动维护、过电流/短路维护、过温 维护、机械故障维护等方面发挥巨大效果,是逆变器的“心脏”,约占逆变器本钱的 13%左右。近年光伏逆变器的快速添加,将会给 IGBT 的展开带来严峻时机。

  光伏逆变器单机功率进一步进步,IGBT 模块因而获益。依据我国光伏职业协会数据,到 2030 年 会集式逆变器的单机功率将超越 6000kW/台,会集式逆变器的功率密度将超越 1.6kW/kg,相较 2021 年别离进步 102%和 43%。逆变器额定功率和功率密度的进步,关于 IGBT 等功率器材的需 求量将进一步添加,一起要求 IGBT 模块具有更好的耐压等级和散热规划,这将推动 IGBT 商场规 模的进一步进步。

  我国风电职业快速展开,新增装机量不断进步。2022 年 GWEC 最新发布的全球风电职业陈述显 示,2021 年全球新增风电装机量 93.6GW,其间陆优势电 72.5GW,海优势电 21.1GW,估计到 2026 年全球风电新增装机将到达 128.8GW,2021 到 2026 年 CAGR 达 7%。我国的风电展开保 持着微弱的气势,2021 年国内风电新增并网装机容量 47.6GW,占全球总量的 51%,估计到 2026 年,新增装机量将超越 60GW,其间陆优势电超越 50GW,海优势电超越 10GW,有利于促 进我国动力转型,IGBT 作为风电变流器的首要元器材相同获益。

  储能装机量逐年进步,储能变流器商场规划不断扩展。依据彭博新动力财经(BNEF)最新发布 的《全球动力存储展望》陈述中显现,2020 年末全球的在线 亿美元的出资用于正在建造中的 345GW 储能设备,到 2030 年累计装置量将到达 358GW, 是 2020 年 16.5GW 的 20 倍以上。跟着装机量的进步,储能变流器的商场规划也随之进步。头豹 研究院数据显现,我国储能变流器新增商场规划从 2015 年的 1 亿元跃升至 2020 年的 13.3 亿元, 2025 年有望到达 60.5 亿元。IGBT 作为储能变流器的中心器材,储能变流器的展开将进一步翻开 IGBT 的商场。

  风景储工业 IGBT 测算与要害假定:风电商场:假定 2022 年风电变流器的均匀价格为 0.29 元/W,今后价格每年下降 2%。据咱们 的测算,2021 年全球风电逆变器 IGBT 规划为 28 亿元,到 2026 年将添加到 33 亿元,21-26E CAGR 为 4%。光伏商场:假定 2022 年光伏逆变器的价格为 0.245 元/W,今后为价格年降 2%。据咱们的测 算,2022 年全球光伏逆变器 IGBT 规划为 50 亿元,到 2026 年将添加到 77 亿元,21-26E CAGR 为 14%。

  归纳以上测算,咱们以为新动力工业(新能车及风景储充)的快速展开极大拉动了 IGBT 商场空 间。2022 年新动力工业所对应的 IGBT 商场规划为 309 亿元,2026 年有望添加至近 700 亿元 商场,21-26 年 CAGR 为 27%。其间,21-26 年 IGBT 规划增速最快的范畴依次是新动力车、 储能和充电桩;21-26 年 IGBT 空间增量最多的范畴依次是新动力车、充电桩和光伏。

  全球 IGBT 商场以亚太地区为主,我国功率商场有望继续扩容。依据 Markets and markets 数据, 2021 年亚太地区 IGBT 商场占比为 58%,远超北美(11%)与欧洲地区(23%)的商场比例。受 益于我国政府支撑新动力职业展开等要素,我国半导体功率器材商场规划稳步扩展,估计到 2027 年将到达 116 亿元,20-27 年 CAGR 为 8%。但是,尽管国内商场宽广,但 IGBT 等功率器材自给 率依然较低,高端产品仍严峻依靠进口。

  英飞凌稳居全球 IGBT 职业第一,国内厂商占比较低。全球 IGBT 商场竞赛格式较为会集,据英 飞凌数据计算,2021 年度 IGBT 模块的全球商场比例排名中,全球前五大厂商占有 67%的商场份 额,其间英飞凌以 33%的市占率占有抢先位置,国内厂商斯达半导和中车年代电气别离占有全球 比例的 3%和 2%。IGBT分立器材方面,英飞凌以 29%的市占率稳坐第一,国内厂商士兰微以 4% 的市占率排名第八,未来进步空间依然较大。

  受缺芯状况影响,IGBT 求过于供。当下 IGBT 全球商场供需缺口依然较大,且海外厂商产能受疫 情影响更为严峻。据富昌电子发布的交期数据,2021 年开端,海外各大厂呈显着的 IGBT 交货周 期拉长趋势,其间意法半导体的改变最为杰出,从 20Q4 的 13-20 周拉长至 22Q4 的 39-52 周。

  国家相关方针大力支撑中心元器材国产化。近年来为了推动功率半导体职业尤其是 IGBT 工业健 康快速展开,国家相关部分不只拟定了相关的一系列方针措施,还不断加大扶持力度。其间, IGBT 曾被划为 02 专项要点扶持项目施行长达 15 年并于 2021 年成功收官。一起,IGBT 国产 化仍是国家十四五规划中要害半导体器材的展开要点之一。来自商场需求继续添加和国家很多投 入资金的两层影响,不只招引了一批具有丰厚 IGBT 经历的海外华人归国,也给包含斯达半导比亚迪、中车年代电气等在内的企业供给了掌握 IGBT 中心技能的时机,进一步推动 IGBT 国产 化进程,提前脱节 IGBT 产品进口依靠这一现状。

  要害中心技能国产代替布景下,IGBT 自给率继续进步。获益于新动力等下流需求旺盛,叠加国 家关于半导体工业的扶持,近年来 IGBT 自给率不断上升。据《我国 IGBT 职业展开现状剖析与 出资远景研究陈述(2022-2029 年)》数据显现,2021 年国内 IGBT 需求量达 1.3 亿只,而产 量为 2580 万只,自给率为 20%。而 2015 年国内 IGBT 自给率仅为 10%,15-21 年添加了 10pct,展开十分迅速。跟着国内新动力轿车、光伏等范畴的功率器材连续高景气量, IGBT 国 产化展开未来可期。

  国内厂商活跃布局芯片出产,继续缩小与世界巨子的距离。以斯达半导为代表的国内厂商先后入 场 IGBT 工业,加快追逐欧美大厂的脚步,进一步打破海外大厂对高端功率半导体商场的独占。技能方面,国内厂商活跃立异迭代,坚持进步自研才能以完结中心技能打破,斯达半导已首先实 现了第 7 代 IGBT 产品的研制;产品方面,国内厂商 IGBT 产品品种进一步添加,掩盖电压/电流 规划进一步扩展,斯达半导依据第六代 Trench Field Stop 技能的车规级 IGBT 模块已取得多个 渠道/项目定点;下流运用及客户方面,国内厂商 IGBT 产品广泛运用于轿车、新动力、家电等领 域,活跃寻求华为、宁德年代、松下、索尼、比亚迪等品牌客户的认可和订单。

  3 IGBT 国产化前锋,卡位 SiC 敞开第二生长曲线 IGBT 模块布局全面,新动力范畴强势生长

  公司 IGBT 模块掩盖范畴广泛,盈余才能继续增强。从产品及运用计划来看,公司产品布局不只 掩盖600V/650V /1200V/1700V/3300V等低/中/高压IGBT模块产品,并且延伸至MOSFET模块、 分立器材、SiC 模块等的规划化出产,一起为客户供给变频器、光伏、新动力车、UPS 等运用的 全方位处理计划。从成绩体现来看,公司 IGBT 模块事务营收从 2015 年的 2.5 亿元添加至 2021 年的 16 亿元,15-21 年 CAGR 为 36%。IGBT 模块事务盈余才能安稳添加,毛利率终年继续向 上,2021 年毛利率为 37.1%,比较 2015 年进步了 8.3pct。

  公司不断拓宽新动力事务空间。2021 年公司运用自主 650V/1200V IGBT 芯片以及配套快康复二 极管芯片的模块和分立器材在国内主流光伏逆变器客户大批量装机运用。2022 年运用自主芯片的 650V/1200V 单管 IGBT 和模块为户用型、工商业、地上电站供给从单管到模块悉数处理计划,已 成为户用和工商业并网逆变器和储能变流器的首要供货商。一起,公司运用于光伏职业的 1200V IGBT 模块在 1500V 体系地上电光伏电站和储能体系中开端批量运用。

  公司车规级 IGBT 继续放量,商场比例有望进一步进步。2022 年上半年,公司出产的运用于主电 机操控器的车规级 IGBT 模块继续放量,算计配套超越 50 万辆新动力轿车,估计下半年配套数量 将进一步添加,其间 A 级及以上车型超越 20 万辆。一起,运用于主电机操控器的车规级 IGBT 模 块开端大批量配套海外商场,估计2022年海外商场比例将会进一步添加。此外,公司在用于车用 空调、充电桩、电子助力转向等新动力轿车半导体器材比例进一步进步。

  公司车规级 IGBT 技能立异迭代,自主可控强势打破。现在斯达半导依据第六代 Trench Field Stop 技能的全系列自主 IGBT 芯片电压等级掩盖

  定增项目锚定 3300V 及以上 IGBT 芯片,高压 IGBT 国产化未来可期。现在国内 3300V 及以上功 率器材根本依靠进口,公司在 600V/650V、1200V、1700V 等中低压 IGBT 芯片现已完结国产化, 但是在 3300V、4500V 等高压功率芯片仍依靠进口,亟需展开国产中心功率半导体器材,助力智 能电网、轨道交通、风力发电职业中心器材的国产化。公司估计投入 15 亿元新建厂房及库房等配 套设备,置办光刻机、显影机、刻蚀机、 PECVD 、退火炉、电子显微镜等设备,用于施行高压 特征工艺功率芯片的研制和工业化项目。项目建造周期 3 年,达产后估计将构成年产 30 万片 6 英 寸 330V 及以上高压特征工艺功率芯片出产才能,对应 9 亿元营收和 4 亿元净赢利。

  SiC半导体功用优异,是制作高温高频、大功率高压器材的抱负资料。SiC禁带宽度是硅的3倍, 击穿电压是硅的 8-10 倍,导热率是硅的 3-5 倍,电子饱满漂移速率是硅的 2-3 倍,因而可以有用 满意电力电子体系的高功率、小型化和轻量化要求。

  全球 SiC 器材商场展开迅猛,2027 年有望添加至 63 亿美元。获益于 5G 通讯、国防军工、新能 源轿车和新动力光伏等范畴的展开,SiC 器材商场规划增速可观。Yole 数据显现,2021 年全球 SiC 功率器材商场规划为 11 亿美元,估计 2027 年将添加至 63 亿美元,CAGR 约 34%。全体电 动车相关范畴(包含主逆变器、OBC、DC/DC 转化器等)SiC 商场规划有望在 2027 年到达 50 亿 美元,21-27 年 CAGR 为 39%。

  很多新动力轿车厂商竞相布局 SiC 器材。2018 年,特斯拉的 Model 3 初次采意图法半导体和英飞 凌的 SiC 逆变器代替了 Si-IGBT,逆变器功率进步了 5-8%。2020 年,比亚迪将自主研制制作的 SiC MOSFET 功率器材搭载在汉 EV 四驱高功用版上,完结了 200KW 的输出功率,功率密度提 升一倍。估计到 2023 年,比亚迪将完结 SiC 基车用功率半导体对硅基 IGBT 的全面代替,将整车 功用在现有基础上再进步 10%。现在,已有多家厂商推出了面向 HEV/EV 等电动轿车充电器的 SiC 功率器材。未来跟着 SiC 器材在车载充电器、DC/DC 转化以及充电桩中浸透率进步,商场空 间有望快速扩展。

  国内 SiC 器材厂商专心产品研制,活跃扩产以坚持竞赛力。国内各 SiC 厂商加快进行产品研制和 产能扩张,有望掌握新动力年代下IGBT需求高速添加的时机期,完结SiC器材范畴的国产代替。从事务发展来看,斯达半导车规级 SiC MOSFET 模块开端大批量装车运用,一起新增多个运用车 规级 SiC MOSFET 模块的主电机操控器项目定点;三安光电华润微等企业在 SiC 二极管、SiC MOSFET 等器材范畴已逐渐完结产品系列化;士兰微、闻泰科技等企业也活跃布局 SiC 器材研制, 并已取得阶段性发展。从产能方面来看,面临国内新动力工业高速生长带来的时机,国内 SiC 厂 商活跃扩产来抢占商场比例,坚持本身工业竞赛力。其间,斯达半导规划了 6 万片/年的 6 英寸 SiC 产能;士兰微 22 年末估计月产 0.2 万片 6 英寸 SiC 芯片,扩产后估计产能为 14.4 万片/年。

  公司获多个主操控器用车规级 SiC MOSFET 模块项目定点。2021 年公司在机车牵引辅佐供电系 统、新动力轿车职业操控器、光伏职业推出的各类 SiC 模块得到进一步的推广运用。2022 年上半 年公司运用于乘用车主操控器的车规级 SiC MOSFET 模块开端大批量装车运用,一起公司新增多 个运用车规级 SiC MOSFET 模块的 800V 体系的主电机操控器项目定点,将对公司未来车规级 SiC MOSFET 模块出售添加供给继续推动力。

  定增项目保证 SiC 芯片自主可控,产品供给才能和竞赛力有望进一步进步。公司车规级 SiC 模块 虽已取得多个项目定点并拿到批量订单,但车规级 SiC 模块中所运用的 SiC MOSFET 芯片仍为进 口芯片。公司估计投入 5 亿元新建厂房及库房等配套设备,置办光刻机、涂胶显影机、铝刻蚀机、 高温注入机等设备,展开 SiC 芯片的研制和工业化。项目建造周期 3 年,达产后估计将构成年产 6 万片 6 英寸 SiC 芯片出产才能,对应 6.6 亿元营收和 1.8 亿元净赢利。本次募投项目量产后,公 司将具有自主的车规级 SiC MOSFET 芯片,使用现在公司在新动力轿车客户和项目资源,进一步 进步公司车规级 SiC 模块的供货保证才能以及产品竞赛力。

  a IGBT 模块及其他主营事务:公司产品按下流范畴首要运用于工控及电源职业、新 动力职业、变频白色家电及其他职业。工控及电源范畴——获益于自动化改造的 不断晋级,工控范畴对 IGBT 模块的需求继续添加,公司继续拓宽下流客户,我 们猜测 22-24 年公司该事务收入为 13.4、15.4、17.2 亿元;新动力范畴——获益 于新动力车继续浸透、充电桩/光伏/风电/储能装机量的不断添加,公司活跃募投 扩产,产品不断向车规级等高端产品拓宽,咱们猜测 22-24 年公司该事务收入为 13.5、23.1、33.6 亿元;变频白色家电及其他职业——公司在该范畴营收规划较 小且前史增速较快,全体商场空间依然较大,咱们猜测 22-24 年公司该事务收入 别离为 0.9、1.3、1.6 亿元。

  3) 公司 22-24 年出售费用率为 1.29%、1.22%、1.15%,办理费用率为 2.73%、2.58%、 2.43%。出售和办理费用率的小幅下降首要考虑到出售收入的添加带来必定的摊薄效应。研制费用方面,22-24 年研制费用率安稳在 5%以上,别离为 5.90%、5.32%、5.02%, 首要考虑到公司研制继续投入以坚持产品竞赛力。

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