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当前，国际电力电子器件市场的年平均上涨的速度在15%左右，2013年市场容量将近1千亿美元，主要供应商集中在美国、日本和欧洲。美国是电力电子器件的发源地，全球电力电子器件市场中占有重要的位置，主要器件企业有通用电气(GE)、ON Semi等。从上世纪90年代开始，日本成为国际上电力电子器件产业的发达地区，主要器件企业有东芝、富士和三菱等。欧洲也是全球电力电子器件产业的发达地区，主要企业有英飞凌、ABB、Semikron等。SiC电力电子器件的主要供应商有Wolfspeed、英飞凌、罗姆、东芝、富士和三菱等公司;国际上GaN电力电子器件的主要企业有英飞凌、松下、富士通、三星、Transphom、GaN System、EPC、Avogy等。
从器件种类看，以硅基功率MOSFET和IGBT为代表的场控型器件是国际电力电子器件市场的主力军，其中IGBT器件的年平均增长率超过30%，远高于其它种类器件。在SiC和GaN电力电子器件领域，由于国际上出现商业化产品的时间比较短，并受技术成熟度和成本的制约，该领域尚处于市场开拓的初期阶段，预计将在2018~2020年进入市场爆发式增长阶段。
“十三五”期间，我国电力电子器件市场在全球市场中所占的份额慢慢的变大，已成为全世界最大的大功率电力电子器件需求市场，在此期间我国电力电子器件市场年增长率近20%。
在此器件，我国的IGBT芯片实现了量产，600V、1200V、1700V、3300V、4500V、6500V的芯片和模块均能提供产品，并逐步扩大应用领域。但是，我们一定要看到，我国IGBT芯片的进口率仍然居高不下，主要市场仍然被国外企业所主导，严重阻碍了我国独立自主IGBT器件产业的健康发展。
随着战略性新兴起的产业的崛起，电力电子器件及装置在风能、太阳能、热泵、水电、生物质能、绿色建筑、新能源设备等先进制造业中将发挥及其重要的作用。2013年我国的电力电子器件市场总额近2000亿元人民币，由此直接带动的电力电子装置产业的市场超过2万亿元人民币。中国电器工业协会电力电子分会预测，随着新能源革命的推动，我国电力电子器件产业将迎来10~20年的黄金发展期，将保持比较高的增长态势，并在投资增量需求与节能环境需求的双重推动，以及下游电力电子装置行业需求快速地发展的拉动下，我国电力电子器件市场到2020年预计将超过5000亿元人民币。
目前，电力电子器件市场的主力军仍然是硅基功率MOSFET和IGBT等器件。尽管这一些器件已趋于成熟，但是未来几年，随着器件新结构的出现和制造工艺水平的逐步的提升，其性能会得到逐步提升和改良，CoolMOS、各种改进型的IGBT和IGCT仍有很强的生命力和竞争力。在未来一段时间内，以各种电力电子器件为主功率器件的电力电子装置和系统将展开激烈竞争。
超大功率领域，晶闸管类器件在一段时间还有广泛的应用。大功率平板全压接IGBT将在这一领域向晶闸管发起挑战。未来10~15年，这一领域也将面临高压大容量碳化硅电力电子器件的挑战。
在中大功率领域，以硅基IGBT为主功率器件的设备将大范围的应用于工业电源、电机变频、通讯电源、不间断电源、工业加热，电镀电源、电焊机等领域。特别是随着我们国家柔性高压直流输电、轨道交通、新能源开发、电动汽车等技术的发展和市场需求的增加，高电压、大电流的IGBT器件的需求非常紧迫，需求量非常大。在接下来的5~10年内，这一领域的硅基IGBT器件将面临碳化硅电力电子器件的强劲挑战。
在中小功率领域，以MOSFET、IGBT为主功率器件的电力电子系统和设备将在中低功率领域发挥巨大的作用，大多数都用在消费类领域，如电磁炉、变频空调、变频冰箱等。基于超级结技术的CoolMOS将成为重要的发展趋势。在接下来的5~10年内，该领域的硅基MOSFET和IGBT器件将面临氮化镓电力电子器件的强劲挑战。
在SiC和GaN电力电子器件领域，由于受到材料成本比较高和材料的品质较低以及工艺不完全成熟等因素的影响，国际上仅在650V~1700V的SiC器件和低于650V的GaN器件领域实现了产业化。近年来，全球在SiC和GaN材料和器件的研发投入以及生产规模均迅速增长，产业化技术快速成熟，具有广泛的未来市场发展的潜力。以SiC和GaN材料为代表的宽禁带半导体材料和器件产业已成为高科技领域中的战略性产业，国际领先企业慢慢的开始部署市场，全球新一轮的产业升级已经开始。
当前，国际电力电子器件市场的年平均上涨的速度在15%左右，2013年市场容量将近1千亿美元，主要供应商集中在美国、日本和欧洲。美国是电力电子器件的发源地，全球电力电子器件市场中占有重要的位置，主要器件企业有通用电气(GE)、ON Semi等。从上世纪90年代开始，日本成为国际上电力电子器件产业的发达地区，主要器件企业有东芝、富士和三菱等。欧洲也是全球电力电子器件产业的发达地区，主要企业有英飞凌、ABB、Semikron等。SiC电力电子器件的主要供应商有Wolfspeed、英飞凌、罗姆、东芝、富士和三菱等公司;国际上GaN电力电子器件的主要企业有英飞凌、松下、富士通、三星、Transphom、GaN System、EPC、Avogy等。
从器件种类看，以硅基功率MOSFET和IGBT为代表的场控型器件是国际电力电子器件市场的主力军，其中IGBT器件的年平均增长率超过30%，远高于其它种类器件。在SiC和GaN电力电子器件领域，由于国际上出现商业化产品的时间比较短，并受技术成熟度和成本的制约，该领域尚处于市场开拓的初期阶段，预计将在2018~2020年进入市场爆发式增长阶段。
“十三五”期间，我国电力电子器件市场在全球市场中所占的份额慢慢的变大，已成为全世界最大的大功率电力电子器件需求市场，在此期间我国电力电子器件市场年增长率近20%。
在此器件，我国的IGBT芯片实现了量产，600V、1200V、1700V、3300V、4500V、6500V的芯片和模块均能提供产品，并逐步扩大应用领域。但是，我们一定要看到，我国IGBT芯片的进口率仍然居高不下，主要市场仍然被国外企业所主导，严重阻碍了我国独立自主IGBT器件产业的健康发展。
随着战略性新兴起的产业的崛起，电力电子器件及装置在风能、太阳能、热泵、水电、生物质能、绿色建筑、新能源设备等先进制造业中将发挥及其重要的作用。2013年我国的电力电子器件市场总额近2000亿元人民币，由此直接带动的电力电子装置产业的市场超过2万亿元人民币。中国电器工业协会电力电子分会预测，随着新能源革命的推动，我国电力电子器件产业将迎来10~20年的黄金发展期，将保持比较高的增长态势，并在投资增量需求与节能环境需求的双重推动，以及下游电力电子装置行业需求快速地发展的拉动下，我国电力电子器件市场到2020年预计将超过5000亿元人民币。
目前，电力电子器件市场的主力军仍然是硅基功率MOSFET和IGBT等器件。尽管这一些器件已趋于成熟，但是未来几年，随着器件新结构的出现和制造工艺水平的逐步的提升，其性能会得到逐步提升和改良，CoolMOS、各种改进型的IGBT和IGCT仍有很强的生命力和竞争力。在未来一段时间内，以各种电力电子器件为主功率器件的电力电子装置和系统将展开激烈竞争。
超大功率领域，晶闸管类器件在一段时间还有广泛的应用。大功率平板全压接IGBT将在这一领域向晶闸管发起挑战。未来10~15年，这一领域也将面临高压大容量碳化硅电力电子器件的挑战。
在中大功率领域，以硅基IGBT为主功率器件的设备将大范围的应用于工业电源、电机变频、通讯电源、不间断电源、工业加热，电镀电源、电焊机等领域。特别是随着我们国家柔性高压直流输电、轨道交通、新能源开发、电动汽车等技术的发展和市场需求的增加，高电压、大电流的IGBT器件的需求非常紧迫，需求量非常大。在接下来的5~10年内，这一领域的硅基IGBT器件将面临碳化硅电力电子器件的强劲挑战。
在中小功率领域，以MOSFET、IGBT为主功率器件的电力电子系统和设备将在中低功率领域发挥巨大的作用，大多数都用在消费类领域，如电磁炉、变频空调、变频冰箱等。基于超级结技术的CoolMOS将成为重要的发展趋势。在接下来的5~10年内，该领域的硅基MOSFET和IGBT器件将面临氮化镓电力电子器件的强劲挑战。
在SiC和GaN电力电子器件领域，由于受到材料成本比较高和材料的品质较低以及工艺不完全成熟等因素的影响，国际上仅在650V~1700V的SiC器件和低于650V的GaN器件领域实现了产业化。近年来，全球在SiC和GaN材料和器件的研发投入以及生产规模均迅速增长，产业化技术快速成熟，具有广泛的未来市场发展的潜力。以SiC和GaN材料为代表的宽禁带半导体材料和器件产业已成为高科技领域中的战略性产业，国际领先企业慢慢的开始部署市场，全球新一轮的产业升级慢慢的开始。
