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11月28日，证监会披露了国元证券《关于合肥芯谷微电子股份有限公司首次公开发行股票并上市辅导备案报告》。
官网资料显示，芯谷微电子成立于2014年11月，位于合肥高新技术产业开发区，基于国内外先进稳定的砷化镓和GaN工艺线，芯谷微电子具备DC-110G频率范围内的低噪声放大器、超宽带功率放大器、高线性功率放大器、高功率GaN管芯等微波、毫米波集成芯片电路的设计、开发及批量生产能力。
2022年6月28日，《合肥芯谷微电子有限公司微波器件及模组项目》环境影响报告表对外公示。
根据报告，该项目总投资金额达11亿元，将主要是做基于砷化镓、氮化镓、SOI 等材料的射频微波芯片的设计、微波模块和组件的设计以及制造，完全建成后可实现砷化镓微波射频器件2400万只、氮化镓微波射频器件600万只、微波模块组件2万套的生产能力。
今年1月，芯谷微完成了近4亿块钱的C轮融资，其中，广发乾和领投本轮融资，基石资本等多家投资机构进行了跟投。
值得注意的是，2017年9月，芯谷微研发的国防电子微波芯片获得国内一家大型军工企业的订单。据芯谷微总经理刘家兵透露，公司仅用2年时间，就开发了超宽带微波放大器芯片、大功率GaN放大器芯片等5个系列产品。
据了解，芯谷微设计开发基于GaAs和GaN微波半导体低噪声、功率管芯、IMFETs(高功率内匹配管芯)和MMICs(单片微波集成电路)产品，产品频率覆盖DC-110 GHz，大范围的应用于通信、雷达等领域。其中，17-24GHz多功能芯片套片已海量发货2.5万套。
作为新一代通信、新能源汽车、高速列车等新兴战略产业的核心材料，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体在《“十四五”规划和2035年远大目标纲要》中被列为重点。
碳化硅6英寸晶圆产能处于飞速扩张期，同时以Wolfspeed、意法半导体为代表的头部厂商已经达产8吋碳化硅晶圆。国内厂商如三安、山东天岳、天科合达等厂商主要以6吋晶圆为主，相关项目20余个，投资逾300亿元；国产8吋晶圆技术突破也正迎头赶上。得益于电动汽车及充电基础设施的发展，预计2022-2025年间碳化硅器件的市场增长率将达30%。衬底未来几年内依然是碳化硅器件的主要产能限制因素。
氮化镓器件目前主要由快充功率市场和5G宏基站和毫米波小基站射频市场驱动。GaN射频市场主要由Macom、Intel等占据，功率市场有英飞凌、Transphorm等。近来年，国内企业如三安、英诺赛科、海威华芯等也在积极布局氮化镓项目。另外，氮化镓激光器件加快速度进行发展。GaN半导体激光器在光刻、存储、军事、医疗等领域均有应用，目前年出货量在3亿支左右，并且近期以20%的年增长率进行增长，预计2026年市场总量达到15亿美元。
第3届第三代半导体论坛将于2022年12月28日召开。多家国内外有突出贡献的公司参会，着重关注碳化硅、氮化镓上下游产业链；最新衬底、外延、器件加工工艺和生产技术；展望氧化镓、氮化铝、金刚石、氧化锌等宽禁带半导体前沿技术探讨研究深度进展。并将参观国内第三代半导体材料与设备产业园区和重点企业。
同期会议推荐：半导体CMP材料与靶材研讨会2022将于12月29日在苏州召开！
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