纯洁半导体和微碧半导体推出第3代SiC MOSFET产品
2022-04-30 17:32:43       来源：乐鱼官网

  ）别离推出了其第三代碳化硅（SiC）MOSFET产品渠道，标志着功率半导体技能在快充功率、高功率密度运用等范畴取得了重大打破。

  4月21日，纯洁半导体官微宣告，推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技能渠道，该渠道首款主驱芯片（类型：S3M008120BK）的常温导通电阻低至8mΩ，比导通电阻系数Rsp到达2.1 mΩ·cm²，处于世界领先水平。source：纯洁半导体（图为纯洁半导体1、2、3代产品比电阻Rsp改变）

  在此之前，纯洁半导体第一代产品的比导通电阻为3.3 mΩ·cm²左右，2023年发布的第二代产品为2.8 mΩ·cm²，2024年逐渐下降至2.4 mΩ·cm²。该渠道经过专利技能和工艺完善，在下降导通电阻的一起，坚持了与前两代附近的优秀短路耐受特性。这使得新能源汽车电机驱动器可以进一步开释SiC高功率密度及高能量转化功率潜力，进步续航路程。

  source：纯洁半导体（图为纯洁半导体1、2、3代产品比电阻Rsp改变）

  据悉，该产品额外电压为1.2kV，额外电流大于220A，室温阈值电压典型值为2.7~2.8V。在等效的芯片面积下，与上一代技能比较导通损耗下降约20%，可以以更高的功率、更小的封装和更高的可靠性完结运用规划。

  source：纯洁半导体（图为S3M008120BK芯片与2代同种类型的产品反向恢复波形比照）

  在动态功能方面，S3M008120BK在相同芯片尺寸下寄生电容逐渐下降，进步了开关速度，且明显改进了MOSFET体二极管的反向恢复特性，峰值电流Irrm完结了近30%的下降，一起软度tb/ta得到了大幅优化，电压过冲Vrrm也得到了明显改进。

  纯洁半导体表明，新品承继了前两代产品在可靠性方面的优势，包含经过了传统栅极可靠性实验对HTGB的查核等加严可靠性实验的测验。其依据成果得出，第三代产品更合适主驱等多芯片并联运用场景，以保证体系在常常运用后仍然具有较优的均流特性。

  值得注意的是，本年1月9日，纯洁半导体与士兰微电子深化8英寸SiC量产线技能支撑与代工协作。士兰微电子的8英寸SiC功率器材芯片制作生产线年一季度封顶，四季度末开始通线年一季度试生产。两边将共同开发包含沟槽型SiC MOSFET等新产品，纯洁半导体将为士兰微电子8寸碳化硅量产线供给技能支撑，士兰微电子则为纯洁半导体供给独家代工服务。近期，士兰微官方表明，其已完结第Ⅳ代平面栅SiC-MOSFET 技能的开发，功能指标挨近沟槽栅SiC器材的水平。第Ⅳ代SiC芯片与模块已送客户评测，根据第Ⅳ代SiC芯片的功率模块估计将于2025年上量。

  近期，VBsemi（微碧半导体）针对电动汽车直流快充、储能体系（ESS）及双向充电（V2G）等要害范畴，推出多款根据第三代SiC技能的MOSFET产品。

  官方材料显现，VBsemi的第三代SiC MOSFET运用先进SiC工艺，开关损耗下降50%以上，体系功率打破96%。与IGBT计划比较，其明显削减热能损耗，简化冷却规划。

  据悉，其具有高功率密度。小封装（如T0247、T02474L）支撑高电流输出，节约PCB空间。例如VBsemi VBP112MC100在100A电流下导通电阻仅21mΩ，合适大功率密布布置。其全系列器材已经过严厉的动态参数测验，保证高温、高湿等苛刻环境下的稳定性。